這些試樣非常適合比較放大率和評估圖像場中的任何失真。理想情況下，在自動計數(shù)系統(tǒng)中，檢查未預(yù)料到的失真是非常有用的。
由5×5 m m正方形的單晶硅光蝕刻而成，每10μm重復(fù)一次。分界線為1.9μm寬
每500μm寫入一條更寬的蝕刻線，這在光學(xué)顯微鏡中很有用。在必須進(jìn)行關(guān)鍵測量的地方，樣品可以直接安裝在校準(zhǔn)樣品上，以便在顯微圖上獲得內(nèi)部校準(zhǔn)。">
| 產(chǎn)品名稱 | ?Silicon Test Specimens, Electron Microscopy Sciences |
| 產(chǎn)品貨號 | ?79502-10 |
| 產(chǎn)品價格 | 現(xiàn)貨詢價，電話：010-67529703 |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | |
| 產(chǎn)品品牌 | ?vwr |
| 產(chǎn)品概述 | 這些試樣非常適合比較放大率和評估圖像場中的任何失真。理想情況下，在自動計數(shù)系統(tǒng)中，檢查未預(yù)料到的失真是非常有用的。 由5×5 m m正方形的單晶硅光蝕刻而成，每10μm重復(fù)一次。分界線為1.9μm寬 每500μm寫入一條更寬的蝕刻線，這在光學(xué)顯微鏡中很有用。在必須進(jìn)行關(guān)鍵測量的地方，樣品可以直接安裝在校準(zhǔn)樣品上，以便在顯微圖上獲得內(nèi)部校準(zhǔn)。 |
| 產(chǎn)品詳情 | 這些試樣非常適合比較放大率和評估圖像場中的任何失真。理想情況下，在自動計數(shù)系統(tǒng)中，檢查未預(yù)料到的失真是非常有用的。 由5×5 m m正方形的單晶硅光蝕刻而成，每10μm重復(fù)一次。分界線為1.9μm寬 每500μm寫入一條更寬的蝕刻線，這在光學(xué)顯微鏡中很有用。在必須進(jìn)行關(guān)鍵測量的地方，樣品可以直接安裝在校準(zhǔn)樣品上，以便在顯微圖上獲得內(nèi)部校準(zhǔn)。 |
| 產(chǎn)品資料 |